Dusver, zonnepanelen van monokristallijn silicium hebben zich snel ontwikkeld in zowel onderzoek als industrialisatie.

Onder de vele factoren die van invloed zijn op C-Si-cellen, maakt de verbetering van de kwaliteit van siliciumwafels de bulkrecombinatie steeds kleiner, en de ontwikkeling van nieuwe passiveringslagen en hun voorbereidingstechnologie vermindert de oppervlakterecombinatie aanzienlijk. Onder hen wordt de recombinatie van de metalen elektrode en het C-Si-contact de sleutelfactor die de celefficiëntie beïnvloedt en wordt beschouwd als de laatste beperkende factor die dicht bij de theoretische limietefficiëntie ligt. Om de recombinatie op het contactpunt tussen metaal en C-Si te verminderen, wordt aan de ene kant het directe contactoppervlak tussen metaal en C-Si verkleind door gedeeltelijk te openen gaten aan de achterkant van de cel (o.a. PERC, PERL, en PERT, enz.). Hoewel de conversie-efficiëntie bijna 25% is, is er nog steeds direct contact tussen metaal en C-Si in deze cellen, is het openingsproces aan de achterkant ingewikkeld en zal het siliciummateriaal bij de opening beschadigd raken.

Bovendien zorgt de lokale openingstechniek ervoor dat de dragers niet alleen afwijken van het migratiepad loodrecht op het contactoppervlak, maar ook druk kunnen worden bij de opening, wat leidt tot verlies van vulfactor. Aan de andere kant moeten nieuwe contactschema's worden ontwikkeld die zowel uitstekende oppervlaktepassivering als scheiding en transport van dragers kunnen bereiken zonder de noodzaak van openingen, d.w.z. dragerselectieve passiveringscontacten. Deze oplossing kan de passivering van het gehele oppervlak van de siliciumwafel realiseren (inclusief het contactgebied en het contactloze gebied), en op dit moment zijn de dragers eendimensionaal transport tussen de elektroden aan beide uiteinden, wat gunstig is voor verkrijg een hogere vulfactor en verbeter vervolgens de conversie-efficiëntie.